热门:中国南车株洲所推出超级IGBT芯片 代表国内领域最高水平

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中新网长沙12月27日电(记者刘双人通讯员刘亚鹏曹婷) 12月27日，中国自主开发的国内唯一最大电压等级、最高功率密度6500伏高压igbt芯片及其模块，在中国南车株洲所首次正式亮相。 这个超极igbt芯片代表了中国功率半导体器件领域的igbt技术的最高水平。
igbt中文名称为“绝缘栅双极晶体管”。 迄今为止，高压高功率密度igbt技术大部分被海外少数公司垄断，国内仍是空白，中国重要产业的迅速发展很大程度上受人左右。

从以前传来的电力、机械、矿造，到轨道交通、航空航天、新能源装备及特殊装备等战术新兴产业，高压高功率密度的igbt应用行业广泛，被称为现代电力转换装置的“心脏”和绿色高端产业的“核”。

从年开始，中国南车株洲通过全球战术布局，吸取国际特征研究开发资源，自主攻击这一高端技术，终于于年12月开发了国内第一批从芯片到模块完全自主化的3300伏特级igbt芯片，其

该超极igbt芯片当天参加了在中国南车株洲举办的“高压高功率密度igbt芯片及其模块研究开发”项目鉴定会。 来自中国科学院、中国工程院的4名院士与来自中国科学院微电子所、南京大学、中南大学等高等院的权威专家一致认为，中国南车株洲开发的高压高功率密度igbt系列器件耐压高、电流大、功率损耗低、动态性能 而且有在轨道交通、柔性直流输电等重大工程项目中的实际应用实绩，其成果整体技术处于国际领先水平，填补了国内领域的空白，实现了中国在高端igbt技术行业与国际先进水平接轨。