OLED时代正在向我们走来

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目前，全球有机发光二极管制造商的发展重点已经转向有源矩阵有机发光二极管(amoled)。

一条amoled生产线(3万片基板/月)的建设需要投资约50亿元，其产业带动作用可以带动近100亿元的上下投资，实现年产值近260亿元(含4.5代线)，增加就业5000多人，促进平板产业结构调整。

全球:技术正在逐渐成熟

“专利分析能够相对准确地评估产业创新状况，是我们了解产业发展状况、获取创新信息的重要途径。”国家知识产权局专利局电气发明审查司检查员常建军说。在这种情况下，记者请他对oled行业当前的全球创新全景做一个粗略的概述-

全球有机发光二极管领域的专利申请经历了三个发展阶段:一是从1980年到1996年的缓慢发展阶段。二是1997年至2004年的快速发展期。三是从2005年至今的巩固发展期。在此期间，oled专利申请数量下降，专利申请蔓延到中国和其他新兴市场国家。

99%的全球oled专利申请集中在中国、日本、韩国、美国和欧洲。早期的专利大多是材料技术分支和结构技术分支。自2004年以来，工艺装备技术和包装技术领域的专利数量逐渐增加，而材料技术领域，尤其是结构技术领域的专利数量迅速下降，专利申请逐渐从上游专利向下游专利转移。常建军说:“这在一定程度上表明oled技术正在逐渐成熟。”

值得注意的是，在整合开发期间，只有包装技术部门的专利数量没有明显下降，从2008年到2009年也有所增加。“结合目前oled柔性显示和透明显示的发展方向，封装技术分支的应用量在未来将继续增加。”常建军说道。

根据《报告》，根据外国申请的专利与东道国原始专利的比例，美国市场最受全球申请人的重视；从外国申请者申请中国的比例来看，美国和日本最重视中国市场。从申请和多边申请(专利同时申请到两个以上国家)的总数来看，日本的精工爱普生、韩国的三星和韩国的lg是oled领域综合实力最强的公司。

“从《报告》中看到，中国在oled领域不断加强自主创新，在突破国外专利壁垒方面取得了成绩，这是令人欣慰的，但我们仍需加快创新步伐。”常建军说道。

中国:协同创新突破

国家知识产权局专利局电子发明审查司副研究员石一栋向记者介绍了中国oled领域专利申请的四个发展阶段:

从1990年到1995年，专利申请主要由美国和德国的申请人在中国发起，申请数量增长缓慢。从1996年到1999年，中国和日本申请人开始申请中国专利，主要来自日本和欧洲的申请人开始在各个技术分支申请专利，申请数量逐渐增加；从2000年到2005年，中国和韩国申请人开始大量申请专利，中国大陆企业、大学和科研机构开始大量申请专利，申请数量迅速增加；自2006年以来，oled技术开始从实验阶段走向实用阶段，中国申请人的专利申请逐渐增多。

“将中国的发明专利申请与全球专利申请进行比较，我们可以看出存在一定的差异。这种差异有助于我们更好地把握技术发展的轨迹，定位技术热点。”石树东说道。在全球发明专利的多边申请中，专利申请的数量从多到少依次为:工艺和设备、结构、材料、应用和包装；在中国的发明专利申请中，从多到少的顺序是:材料、应用、结构、工艺和设备、包装。

“这表明我们需要进一步加强以技术和设备为重点的技术分支的专利申请。同时，加强发光层材料、电极结构、光学辅助层材料和衬底结构等技术热点的专利申请。”石树东分析道。

目前，oled专利申请在mainland China的分布极不均衡，京沪粤等传统显示产业基础较好的地区排名第一。“这是正常现象。”石一栋说:“这是由各地区综合经济实力、产业政策倾向、传统产业基础等因素决定的。”

目前，整合长三角、京津冀、珠三角上下游优势企业，形成完整的产业链，促进区域资源和行业优质资源的整合，应该成为中国oled产业全面发展的重要战略之一。“对于企业来说，我们必须认识到，oled技术的跨学科性质从根本上决定了一个企业很难实现整个产业链。因此，企业之间的合作是不可避免的。”石树东说道。但是，在中国大陆申请oled发明专利的中国企业中，高校和科研机构是主要问题，因此中国大陆企业应加大关键技术点的研发力度，形成具有自主知识产权的核心技术，并充分发挥产学研紧密结合的优势，提高自主创新能力。

应对:教人们钓鱼来帮助创新

“与其教人钓鱼，不如教人钓鱼。”国家知识产权局专利局电子发明审查部半导体司副司长魏说:“我们希望企业、科研机构、知识产权中介服务机构等都能够参与进来。可以掌握报告内容背后的专利分析方法，因为专利信息是不断变化的，所以对内容的判断有一定的时间。但是，如果我们掌握了一套完整的标准化专利分析方法，就可以使海量的专利信息更加独立。”

包含所有专利信息来源的数据光盘附在专利分析报告书的后面。“只要您掌握了这种方法，就可以根据您的特定需求使用这些数据进行更深入的信息挖掘。”常建军说道。

该报告重点介绍了oled领域的关键技术——薄膜晶体管技术。在非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管这四种薄膜晶体管技术中，氧化物薄膜晶体管因其自身的透明性和较高的迁移率而成为业界研究的热点。氧化物薄膜晶体管从2000年到2007年一直处于稳定的发展趋势。自2008年以来，应用数量已经超过了其他三种tft技术，保持了快速增长的趋势。专家指出，金属氧化物薄膜晶体管技术因其高迁移率在高分辨率显示屏领域具有广阔的市场前景，已成为目前的研究热点。目前，三星、lg等公司正在大力发展金属氧化物tft技术。

目前，国内适用于有源矩阵有机发光二极管的四种薄膜晶体管技术主要申请人集中在中国台湾和四川、广东、北京、上海和吉林。具有代表性的企业、高校和科研机构有AUO光电、中国光电、四川红石显示技术、清华大学、鲍彤光电、中国科学院长春应用化学研究所、广东忠县科技、北京大学和复旦大学。